3.9A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®TrenchFET®U-MOSIII-HU-MOSVIUltraFET™XP3P055
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 1.5A,4.5V31 毫欧 @ 5A,4.5V40 毫欧 @ 2A,4.5V40 毫欧 @ 5.2A,10V40 毫欧 @ 5A,4.5V43 毫欧 @ 3.9A,10V45 毫欧 @ 3.9A,10V46 毫欧 @ 3.9A,4.5V51 毫欧 @ 5.1A,4.5V55 毫欧 @ 3.9A,4.5V55 毫欧 @ 3A,10V60mOhm @ 500mA,8V65 毫欧 @ 3.2A,10V65 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 394µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.677 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 10 V4.6 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V8.6 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V13.4 nC @ 10 V14 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
-6V+6V,-8V±8V±10V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
192 pF @ 15 V251 pF @ 10 V276 pF @ 15 V290 pF @ 10 V360 pF @ 6 V415 pF @ 6 V448 pF @ 15 V490 pF @ 10 V530 pF @ 25 V540 pF @ 10 V540 pF @ 20 V563 pF @ 25 V700 pF @ 20 V710 pF @ 5 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)400mW(Ta),12.5W(Tc)510mW(Ta),3.9W(Tc)700mW(Ta)750mW(Ta)790mW940mW(Ta)1W1W(Ta)1.1W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.5W(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
4-CSP(1x1)4-WLCSP(0.78x0.78)6-TSOP8-SOIC1206-8 ChipFET™ChipFET™SOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-23FTO-236ABU-WLB1515-9ULGA004-W-1010-RA01
封装/外壳
3-XFDFN4-XFBGA,WLCSP4-XFLGA,CSP8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)9-UFBGA,WLBGASOT-23-3 扁平引线SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
37结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 37
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3,353
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57107
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
33,604
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 5A,4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS2672
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
onsemi
3,940
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.9A(Ta)
6V,10V
70 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2535 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
1,473
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
290 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2318CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
145,294
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.75690
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
40,692
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 5A,4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2312BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
6,242
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52026
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 5A,4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV50ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,818
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 3.9A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
276 pF @ 15 V
-
510mW(Ta),3.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
10,556
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81917
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
290 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23
SI3415CHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
Micro Commercial Co
5,785
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75993
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 5A,4.5V
1.25V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±10V
540 pF @ 10 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN3A14FQTA
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
2,705
现货
33,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.02065
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
448 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-ChipFET
NTHS5441T1
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
onsemi
41,812
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.9A(Ta)
-
46 毫欧 @ 3.9A,4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
-
710 pF @ 5 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
WLCSP4
PMCM4401VPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
15,679
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.80637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
65 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
415 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
XP3P055N
XP3P055N
MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
YAGEO XSEMI
980
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
55 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
960 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M
FK4B01120LE
SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M
Nuvoton Technology Corporation
1,000
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.16347
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
24 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 394µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
490 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
-40°C ~ 85°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
4-CSP(1x1)
4-XFLGA,CSP
X4-DSN1006-3
DMN3060LCA3-7
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.72012
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
1.8V,8V
60mOhm @ 500mA,8V
1.1V @ 250µA
1.677 nC @ 4.5 V
±12V
192 pF @ 15 V
-
790mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X4-DSN1006-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMP3097L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.63476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
13.4 nC @ 10 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3097L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
27,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.73305
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
13.4 nC @ 10 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3097LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
69,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.85242
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
13.4 nC @ 10 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3097LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.85242
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
13.4 nC @ 10 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4-WLCSP
PMCM440VNEZ
MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
4.5V
67 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
8.2 nC @ 4.5 V
±8V
360 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M
FK4B01120L
SINGLE NCH MOSFET, 12V, 3.9A 17M
Nuvoton Technology Corporation
0
现货
查看交期
20,000 : ¥4.28962
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
1.5V,4.5V
24 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 394µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
490 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
4-CSP(1x1)
4-XFLGA,CSP
SOT223-3L
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥4.59529
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Ta)
4V,10V
45 毫欧 @ 3.9A,10V
2.4V @ 250µA
14 nC @ 5 V
±16V
530 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8-SOIC
SI4446DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5.2A,10V
1.6V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.9A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5.2A,10V
1.6V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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3.9A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。