3.7A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 56
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIXµCool™π-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V20 V30 V55 V60 V100 V200 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,2.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 3.7A,10V23 毫欧 @ 3.7A,2.5V33 毫欧 @ 5.1A,4.5V36 毫欧 @ 6.2A,4.5V39 毫欧 @ 4.7A,4.5V44 毫欧 @ 3.7A,4.5V45 毫欧 @ 3.7A,10V50 毫欧 @ 7.8A,10V51 毫欧 @ 3.7A,10V52 毫欧 @ 3.5A,4.5V54 毫欧 @ 5A,10V55 毫欧 @ 7.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)720mV @ 250µA750mV @ 30µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 30µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1.037mA4V @ 250µA4V @ 400µA4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 2.5 V6 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 5 V8.2 nC @ 4.5 V10.3 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V12.6 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V15.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±10V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24 pF @ 10 V340 pF @ 15 V443 pF @ 10 V455 pF @ 10 V490 pF @ 300 V502 pF @ 30 V540 pF @ 25 V600 pF @ 25 V632 pF @ 50 V633 pF @ 10 V635 pF @ 15 V660 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
490mW(Ta)500mW(Ta)530mW(Ta),4.46W(Tc)630mW(Ta)700mW(Ta)750mW(Ta)960mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.14W(Ta)1.2W(Ta)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-WLCSP(1x1)6-MicroFET(2x2)6-TSOP6-WDFN(2x2)8-SO8-SOIC8-SOPDPAKMicro3™/SOT-23PG-SC59-3PG-SOT223-4SC-70-3
封装/外壳
4-XFBGA,WLCSP6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP6-VDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
56结果
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/ 56
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
106,149
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25815
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,2.5V
23 毫欧 @ 3.7A,2.5V
750mV @ 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
404,063
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
44 毫欧 @ 3.7A,4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
164,156
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
46,931
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20368
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2323DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,211
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20368
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NTF5P03T3G
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
onsemi
15,246
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.29141
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 5.2A,10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Infineon Technologies
3,862
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.17253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Ta)
10V
78 毫欧 @ 2.2A,10V
5V @ 100µA
44 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT 23-3
NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
onsemi
40,849
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84479
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
1173 pF @ 4 V
-
960mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
FDT3612
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
onsemi
34,679
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.16468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.7A(Ta)
6V,10V
120 毫欧 @ 3.7A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
632 pF @ 50 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23(TO-236)
SI2323DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
4,178
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.20368
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
ZXMN3A03E6TA
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Diodes Incorporated
31,328
现货
18,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.52802
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 7.8A,10V
1V @ 250µA
12.6 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT223-3L
IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
5,370
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.60257
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
3.7A(Ta)
10V
45 毫欧 @ 3.7A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NVF5P03T3G
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
onsemi
8,738
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.85710
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 5.2A,10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
ISP650P06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Infineon Technologies
1,113
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.42611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.7A(Ta)
10V
65 毫欧 @ 3.7A,10V
4V @ 1.037mA
39 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
1.8W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN52XPX
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
5,491
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63615
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
62 毫欧 @ 3.7A,4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
763 pF @ 10 V
-
530mW(Ta),4.46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
8 SO
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Diodes Incorporated
4,970
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.40764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
66 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-6
ZXMN2A03E6TA
MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Diodes Incorporated
3,385
现货
21,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.52802
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
55 毫欧 @ 7.2A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
837 pF @ 10 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
6-TSOP
NVGS4111PT1G
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
onsemi
1,898
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82668
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.7A,10V
3V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 15 V
-
630mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOP
DMN6066SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Diodes Incorporated
2,500
现货
2,500
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.17261
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
66 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-WDFN
NTLJS1102PTAG
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
onsemi
0
现货
36,000
市场
3,000 : ¥1.71229
卷带(TR)
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
3.7A(Ta)
1.2V,4.5V
36 毫欧 @ 6.2A,4.5V
720mV @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±6V
1585 pF @ 4 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
0
现货
3,000
市场
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.7A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 3.7A,10V
2V @ 30µA
6.6 nC @ 5 V
±20V
750 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-WDFN
FDFMA2N028Z
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
onsemi
464
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.19303
卷带(TR)
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
455 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.4W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 裸露焊盘
6-TSOP
NTGS3136PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
onsemi
1,061
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.87483
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.8V,4.5V
33 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±8V
1901 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
4-WFBGA, FCBGA
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
onsemi
0
现货
5,119
市场
停产
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
FDZ375P
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Fairchild Semiconductor
4,885
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
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3.7A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。