3.1A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 55
制造商
Fairchild SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CEQFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V100 V200 V250 V400 V500 V600 V650 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V126 毫欧 @ 2A,10V190 毫欧 @ 3A,10V1.2 欧姆 @ 1.9A,10V1.4 欧姆 @ 900mA,13V1.5 欧姆 @ 1.1A,10V1.5 欧姆 @ 1.6A,10V1.5 欧姆 @ 1.9A,10V1.5 欧姆 @ 1A,10V1.8 欧姆 @ 1.9A,10V2.1 欧姆 @ 1.55A,10V3.6 欧姆 @ 1.2A,10V5 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 100µA3.5V @ 70µA3.5V @ 90µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V38 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
178 pF @ 100 V196 pF @ 50 V200 pF @ 25 V200 pF @ 100 V225 pF @ 100 V290 pF @ 25 V350 pF @ 25 V372 pF @ 25 V405 pF @ 10 V420 pF @ 25 V425 pF @ 30 V540 pF @ 25 V610 pF @ 25 V980 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
860mW(Ta),1.6W(Tc)1.25W(Ta),2.5W(Tc)1.56W(Tc)2.5W(Ta),25W(Tc)2.5W(Ta),30W(Tc)2.5W(Ta),42W(Tc)2.5W(Ta),45W(Tc)25W(Tc)27W(Tc)28W(Tc)35W(Tc)42W(Tc)49W(Tc)125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKIPAKPG-TO251-3PG-TO252-3SOT-23SOT-23-3(TO-236)TO-220-2 整包TO-220-3TO-220ABTO-220FPTO-247ACTO-251TO-251AATO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
55结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 55
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
152,614
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,290
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2309CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
48,652
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.1A(Tc)
4.5V,10V
190 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
425 pF @ 30 V
-
1.56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB
IRFBG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Vishay Siliconix
3,828
现货
1 : ¥20.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3.1A(Tc)
10V
5 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
7,545
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR320TRPBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
8,135
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.20256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRFU320PBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Vishay Siliconix
2,342
现货
1 : ¥8.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRFU9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Vishay Siliconix
1,798
现货
1 : ¥8.87000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR320PBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
2,751
现货
1 : ¥9.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9110TRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
1,247
现货
1 : ¥14.61000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.63695
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRFBG30PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Vishay Siliconix
1,373
现货
1 : ¥20.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
3.1A(Tc)
10V
5 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252
SIHFR320-GE3
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
2,952
现货
1 : ¥4.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9110TRLPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20649
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,918
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.88028
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO251-3
IPU50R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
416,723
市场
停产
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.1A(Tc)
13V
1.4 欧姆 @ 900mA,13V
3.5V @ 70µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
178 pF @ 100 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220AB Full Pack
NDF03N60ZH
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
onsemi
0
现货
78,600
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.1A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
372 pF @ 25 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-2 整包
TO-220-3 整包
TO-220-3 Full Pack
NDF03N60ZG
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
onsemi
0
现货
4,522
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.1A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
372 pF @ 25 V
-
27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
4,469
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
IRFU9110
3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Harris Corporation
2,564
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
ISL9N302AS3
SFU9220TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
29,376
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.1A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO252-3
IPD50R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Infineon Technologies
3,950
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.72327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.1A(Tc)
13V
1.4 欧姆 @ 900mA,13V
3.5V @ 70µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
178 pF @ 100 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI830GPBF
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Vishay Siliconix
783
现货
1 : ¥9.93000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.1A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
DPAK(TO-252)
SIHFR320TR-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
Vishay Siliconix
1,258
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.28849
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK(TO-252)
SIHFR320TRL-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
Vishay Siliconix
2,784
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.51425
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.1A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO251-3
IPU60R1K5CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Infineon Technologies
927
现货
1 : ¥5.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.1A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 55

3.1A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。