28A 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Micro Commercial CoNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 10A,5V40 毫欧 @ 20A,10V52 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 5mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.6 nC @ 5 V19.3 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
865 pF @ 85 V1050 pF @ 30 V2100 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
28W60W96W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
3-FCLGA(3.2x2.2)DFN5060DPAK
封装/外壳
3-VLGA8-PowerTDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MBRD6100CT-TP
MCU28P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
4,463
现货
1 : ¥16.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.49920
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A
4.5V,10V
52 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
96W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DFN5060
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,803
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.68658
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
28A
-
40 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
60W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
GAN7R0-150LBEZ
GAN7R0-150LBEZ
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Nexperia USA Inc.
3,532
现货
1 : ¥25.04000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.37884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
28A
5V
7 毫欧 @ 10A,5V
2.1V @ 5mA
7.6 nC @ 5 V
+6V,-4V
865 pF @ 85 V
-
28W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-FCLGA(3.2x2.2)
3-VLGA
显示
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28A 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。