单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-OptiMOS®-P2TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）6.1A（Ta），18A（Tc）38A（Tc）73A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 70A，10V17 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 7A，10V190 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 4.5 V13.8 nC @ 5 V24.1 nC @ 10 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 10 V1293 pF @ 30 V1814 pF @ 25 V4810 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1.2W（Ta）62W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33PG-TO252-3-313POWERDI3333-8TSMT3
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-96SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
11,323
现货
2,908,000
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.91251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Infineon Technologies
9,808
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.59794
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
73A（Tc）
-
8.9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 120µA
70 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSMT3
RSR020P05HZGTL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.94964
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
4V，10V
190 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 1mA
4.5 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
LFPAK33
BUK9M19-60EX
MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,697
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.65773
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
38A（Tc）
5V
17 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
13.8 nC @ 5 V
±10V
1814 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。