单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
770mA（Ta）， 1.29A（Tc）3.9A（Ta）8A（Ta），24.7A（Tc）37.1A（Tc）57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 21A，10V15.8 毫欧 @ 8.1A，10V31 毫欧 @ 5A，4.5V43 毫欧 @ 9.2A，10V1.38 欧姆 @ 800mA， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA2V @ 250µA2V @ 270µA3V @ 250µA4V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.6 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V20 nC @ 6 V36.9 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
530 pF @ 75 V1200 pF @ 15 V2090 pF @ 50 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）1.7W（Ta），16W（Tc）1.8W（Ta），5W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）54W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）MLPAK33PG-SOT223-4SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
36,659
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 5A，4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
8,661
现货
1 : ¥16.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.57970
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
6V，10V
8.5 毫欧 @ 21A，10V
4V @ 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-252
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,563
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power VDFN
PXP015-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
5,879
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Ta），24.7A（Tc）
4.5V，10V
15.8 毫欧 @ 8.1A，10V
2V @ 250µA
36.9 nC @ 10 V
±25V
1200 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
ISP14EP15LMXTSA1
ISP14EP15LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Infineon Technologies
899
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.40662
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
770mA（Ta）， 1.29A（Tc）
4.5V，10V
1.38 欧姆 @ 800mA， 10V
2V @ 270µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 75 V
-
1.8W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。