单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™NexFET™STripFET™ H6U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53A(Ta),100A(Tc)78A(Tc)79A(Tc)80A(Tc)90A(Ta)95A(Tc)100A(Tc)110A(Ta),194A(Tc)120A(Ta)120A(Tc)171A(Tc)173A(Tc)180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 60A,6V2.4 毫欧 @ 60A,10V2.4 毫欧 @ 68A,10V2.5 毫欧 @ 100A,10V2.6 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.2 毫欧 @ 40A,10V3.2 毫欧 @ 60A,10V3.3 毫欧 @ 100A,10V3.3 毫欧 @ 45A,10V3.3 毫欧 @ 70A,10V3.5 毫欧 @ 40A,10V3.7 毫欧 @ 75A,10V4.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 100µA2.3V @ 250µA2.35V @ 100µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA3V @ 250µA3V @ 500µA3.7V @ 100µA3.7V @ 150µA3.9V @ 100µA4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V42.3 nC @ 10 V53 nC @ 4.5 V54 nC @ 4.5 V60 nC @ 4.5 V64 nC @ 10 V69 nC @ 10 V81 nC @ 10 V83 nC @ 10 V93 nC @ 10 V103 nC @ 10 V110 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800 pF @ 20 V2290 pF @ 50 V2683 pF @ 12 V3100 pF @ 25 V3183 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V4010 pF @ 25 V4340 pF @ 25 V4450 pF @ 25 V4730 pF @ 25 V5050 pF @ 15 V5110 pF @ 15 V5200 pF @ 25 V5400 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
3.9W(Ta),180W(Tc)99W(Tc)110W(Tc)115W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)140W(Tc)143W(Tc)148W(Tc)157W(Tc)176.5W(Tc)180W(Tc)188W(Ta)200W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAK+TO-220TO-220-3TO-220ABTO-252-3TO-263(DDPAK-3)
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
47,514
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
95A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 57A,10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Infineon Technologies
10,357
现货
1 : ¥5.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
78A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 40A,10V
2.35V @ 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
5110 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP105N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
STMicroelectronics
674
现货
1 : ¥8.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 40A,10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IRLB8743PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Infineon Technologies
1,927
现货
1 : ¥8.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
78A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 40A,10V
2.35V @ 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
5110 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Infineon Technologies
3,761
现货
1 : ¥10.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7446PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
2,257
现货
1 : ¥10.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 70A,10V
3.9V @ 100µA
93 nC @ 10 V
±20V
3183 pF @ 25 V
-
99W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
CSD18504KCS
MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Texas Instruments
777
现货
6,810
市场
466 : ¥4.66118
散装
1 : ¥12.23000
管件
散装
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
53A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 40A,10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7440PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
789
现货
1 : ¥12.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
6V,10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 100µA
135 nC @ 10 V
±20V
4730 pF @ 25 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP160N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
STMicroelectronics
267
现货
1 : ¥12.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 60A,10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1404ZPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Infineon Technologies
2,884
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB
Infineon Technologies
3,811
现货
1 : ¥16.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
173A(Tc)
6V,10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 150µA
210 nC @ 10 V
±20V
7020 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
4,866
现货
1 : ¥21.51000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.57504
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Ta)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 60A,6V
3V @ 500µA
103 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 10 V
-
180W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3,DPak(2Leads+Tab),TO-263AB
CSD18511KTTT
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Texas Instruments
603
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
50 : ¥9.73980
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
110A(Ta),194A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 100A,10V
2.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5940 pF @ 20 V
-
188W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(DDPAK-3)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP200N3LL
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
STMicroelectronics
285
现货
1 : ¥12.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
120A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 60A,10V
2.5V @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
176.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
9,627
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.08990
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Ta)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 45A,10V
2.5V @ 500µA
81 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 10 V
-
157W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
PSMN4R5-40PS,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
8,986
现货
1 : ¥16.67000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
4.6 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
42.3 nC @ 10 V
±20V
2683 pF @ 12 V
-
148W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Infineon Technologies
656
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
171A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 68A,10V
2.2V @ 100µA
60 nC @ 4.5 V
±20V
5050 pF @ 15 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-252-2
DMTH4004LK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Diodes Incorporated
0
现货
12,500
工厂
查看交期
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.61236
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
4450 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),180W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 18

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。