单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
CoolMOS™ CEHEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
漏源电压（Vdss）
75 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.1A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.85 毫欧 @ 195A，10V380 毫欧 @ 3.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 260µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24.8 nC @ 10 V570 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
584 pF @ 100 V19230 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
98W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO252-3TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
20,522
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.67848
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14.1A（Tc）
13V
380 毫欧 @ 3.2A，13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP4368PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥64.69000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
195A（Tc）
10V
1.85 毫欧 @ 195A，10V
4V @ 250µA
570 nC @ 10 V
±20V
19230 pF @ 50 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。