单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
MDmesh™ IIMDmesh™ VSuperMESH™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
120 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Tc）20A（Tc）35A（Tc）72A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 36A，10V78 毫欧 @ 19.5A，10V165 毫欧 @ 10A，10V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V60 nC @ 10 V91 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
156 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V3375 pF @ 100 V8100 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
3.3W（Tc）140W（Tc）210W（Tc）255W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-223TO-220TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
28,748
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.62177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
400mA（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
708
现货
1 : ¥62.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectronics
839
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
165 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
0
现货
查看交期
1 : ¥26.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
72A（Ta）
10V
4.4 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 60 V
-
255W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。