单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A(Tc)12A(Tc)17A(Tc)20A(Tc)26A(Tc)33A(Tc)36A(Tc)45A(Tc)55A(Tc)60A(Tc)65A(Tc)95A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V18V18V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 50A,18V40 毫欧 @ 30A,18V52 毫欧 @ 20A,18V52 毫欧 @ 30A,10V67毫欧 @ 20A,20V69 毫欧 @ 40A,20V81 毫欧 @ 12A,18V100 欧姆 @ 20A,18V105毫欧 @ 20A,18V208 毫欧 @ 8.5A,15V239毫欧 @ 10A,20V290 毫欧 @ 10A,20V455 毫欧 @ 3.6A,15V690 毫欧 @ 6A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA3.5V @ 1mA3.5V @ 1mA (典型值)3.5V @ 250µA3.6V @ 1mA3.6V @ 2.33mA4.8V @ 6.45mA4.9V @ 1mA5V @ 13mA5V @ 1mA5V @ 5mA5.6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 15 V22 nC @ 20 V38 nC @ 15 V45 nC @ 20 V61 nC @ 18 V63 nC @ 18 V64 nC @ 18 V73 nC @ 20 V82 nC @ 18 V94 nC @ 18 V107 nC @ 18 V122 nC @ 20 V162 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V+21V,-4V+22V,-10V+22V,-4V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
290 pF @ 400 V345 pF @ 1000 V632 pF @ 1000 V650 pF @ 400 V1230 pF @ 800 V1233 pF @ 800 V1337 pF @ 800 V1370 pF @ 400 V1498 pF @ 800 V1900 pF @ 400 V1969 pF @ 800 V2925 pF @ 800 V3315 pF @ 520 V
功率耗散(最大值)
50W(Tc)97W(Tc)115W150W(Tc)153W(Tc)175W(Tc)208W(Tc)238W(Tc)249W(Tc)262W278W(Tc)290W(Tc)318W(Tc)360W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)175°C175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-7HiP247™HiP247™ 长引线TO-247TO-247-3TO-247-4LTO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,895
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0160120D
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,954
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 8.5A,15V
3.6V @ 2.33mA
38 nC @ 15 V
+15V,-4V
632 pF @ 1000 V
-
97W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STMicroelectronics
350
现货
1 : ¥100.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
20A(Tc)
20V
290 毫欧 @ 10A,20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V,-10V
650 pF @ 400 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247N
SCT4062KEC11
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,734
现货
1 : ¥119.21000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
26A(Tc)
18V
81 毫欧 @ 12A,18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V,-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
STMicroelectronics
588
现货
1 : ¥141.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
33A(Tc)
18V
105毫欧 @ 20A,18V
5V @ 1mA
63 nC @ 18 V
+22V,-10V
1230 pF @ 800 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STMicroelectronics
600
现货
1 : ¥240.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
65A(Tc)
20V
69 毫欧 @ 40A,20V
3V @ 1mA
122 nC @ 20 V
+25V,-10V
1900 pF @ 400 V
-
318W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT3040KRC14
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Rohm Semiconductor
818
现货
1 : ¥249.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
STMicroelectronics
1,704
现货
1 : ¥124.54000
剪切带(CT)
1,000 : ¥78.85189
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
45A(Tc)
18V,20V
67毫欧 @ 20A,20V
5V @ 1mA
73 nC @ 20 V
+22V,-10V
1370 pF @ 400 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3 HiP
SCT10N120AG
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STMicroelectronics
590
现货
1 : ¥56.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
12A(Tc)
20V
690 毫欧 @ 6A,20V
3.5V @ 250µA
22 nC @ 20 V
+25V,-10V
290 pF @ 400 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
587
现货
1 : ¥94.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
18V
100 欧姆 @ 20A,18V
4.9V @ 1mA
61 nC @ 18 V
+22V,-10V
1233 pF @ 800 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STMicroelectronics
378
现货
1 : ¥172.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
65A(Tc)
20V
69 毫欧 @ 40A,20V
3V @ 1mA
122 nC @ 20 V
+25V,-10V
1900 pF @ 400 V
-
318W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
STMicroelectronics
595
现货
1 : ¥202.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
100A(Tc)
18V
26 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V,-10V
3315 pF @ 520 V
-
420W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
SCTWA30N120
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STMicroelectronics
526
现货
1 : ¥111.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
20A(Tc)
20V
239毫欧 @ 10A,20V
3.5V @ 1mA (典型值)
45 nC @ 20 V
+25V,-10V
650 pF @ 400 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
20
现货
1 : ¥263.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
18V
40 毫欧 @ 30A,18V
5V @ 13mA
82 nC @ 18 V
+25V,-10V
2925 pF @ 800 V
-
249W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCT20N120AG
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STMicroelectronics
43
现货
1 : ¥160.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
20A(Tc)
20V
239毫欧 @ 10A,20V
3.5V @ 1mA
45 nC @ 20 V
+25V,-10V
650 pF @ 400 V
-
153W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTH40N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥123.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥78.30044
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
18V
100 欧姆 @ 20A,18V
4.9V @ 1mA
61 nC @ 18 V
+22V,-10V
1233 pF @ 800 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-7
-
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH35N65G2V-7AG
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥131.60000
剪切带(CT)
1,000 : ¥83.37344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
45A(Tc)
18V,20V
67毫欧 @ 20A,20V
5V @ 1mA
73 nC @ 20 V
+22V,-10V
1370 pF @ 400 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263-7
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥282.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥184.57077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
95A(Tc)
18V
26 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V,-10V
3315 pF @ 520 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
SCTH60N120G2-7
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1,000 : ¥119.65215
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 1mA
94 nC @ 18 V
+22V,-10V
1969 pF @ 800 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。