单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
30 V55 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A(Tc)43A(Tc)49A(Tc)50A(Tc)86A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 80A,10V7.9 毫欧 @ 80A,10V8.7 毫欧 @ 25A,10V8.9 毫欧 @ 25A,10V12 毫欧 @ 50A,10V12.7 毫欧 @ 34A,10V13.6 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA2V @ 80µA2.1V @ 250µA2.2V @ 20µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V8.7 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V54 nC @ 10 V55 nC @ 10 V65 nC @ 10 V69 nC @ 10 V88 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
519 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2530 pF @ 40 V2711 pF @ 15 V2890 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V4840 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
38W(Tc)44W(Tc)50W(Tc)136W(Tc)150W(Tj)227W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKLFPAK33PG-TO252-3-11TO-252(DPAK)
封装/外壳
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
11,070
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.88564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 20µA
40 nC @ 10 V
±16V
2890 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 DPAK
FDD86369
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
onsemi
13,478
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.92216
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
90A(Tc)
10V
7.9 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
2530 pF @ 40 V
-
150W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK33
PSMN013-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,781
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.25073
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
39A(Tc)
4.5V,10V
13.6 毫欧 @ 10A,10V
1.95V @ 1mA
8 nC @ 10 V
±20V
519 pF @ 15 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO-252 D-Pak Top
DMN6017SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Diodes Incorporated
1,501
现货
12,500
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.72091
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2711 pF @ 15 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.38472
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
NVD5C668NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
onsemi
1,548
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.05367
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 250µA
8.7 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SQR70090ELR_GE3
SQR70090ELR_GE3
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Vishay Siliconix
1,828
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.21528
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
86A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Infineon Technologies
4,787
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.63321
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
50A(Tc)
4.5V,10V
12.7 毫欧 @ 34A,10V
2V @ 80µA
69 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。