单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）320mA（Ta）500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，5V1.8V，2.5V，4.5V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
630 毫欧 @ 200mA，5V2 欧姆 @ 50mA，4.5V3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250A1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V1.23 nC @ 4 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V32 pF @ 30 V46 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）230mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-523VESM
封装/外壳
SOT-523SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
67,000
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34636
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
444,847
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.52095
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.5V，5V
630 毫欧 @ 200mA，5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-523
DMN62D0UT-7
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
Diodes Incorporated
2,893
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.8V，2.5V，4.5V
2 欧姆 @ 50mA，4.5V
1V @ 250A
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
230mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。