单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Panjit International Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）360mA（Ta）2.2A（Ta）3.1A（Ta）4A（Ta），11A（Tc）4.2A（Ta）8A（Ta）8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 8A，10V56 毫欧 @ 4A，10V90 毫欧 @ 2.2A，4.5V100 毫欧 @ 3.1A，4.5V110 毫欧 @ 4.5A，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V17 nC @ 10 V17.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V56 pF @ 10 V290 pF @ 10 V416 pF @ 10 V435 pF @ 30 V582 pF @ 20 V637 pF @ 20 V969 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta）650mW（Ta）1.25W（Ta）1.97W（Ta）2W（Ta），15W（Tc）2.3W（Ta），15W（Tc）15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23SOT-23-3TO-236ABU-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
786,391
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
459,053
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
67,270
现货
582,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
1.5V，4.5V
90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
290 pF @ 10 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D56-60EX
MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Nexperia USA Inc.
108,643
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10427
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta），11A（Tc）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 4A，10V
2.7V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 30 V
-
2W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
BUK9D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
11,349
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.1V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±15V
637 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,496
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
582 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP6110SFDF-7
MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
80,601
现货
1,281,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.97W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
57,996
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47995
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Ta）
1.8V，4.5V
100 毫欧 @ 3.1A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。