单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）550mA（Ta）3.7A（Ta）5.3A（Ta）6A（Ta）16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21毫欧 @ 6A，10V44 毫欧 @ 3.7A，4.5V45 毫欧 @ 4.2A，10V125 毫欧 @ 8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V10.8 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V19.2 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V100 pF @ 25 V435 pF @ 15 V635 pF @ 15 V793 pF @ 15 V1575 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）480mW（Ta），1.2W（Tc）490mW（Ta）510mW（Ta），6.94W（Tc）1.5W（Ta）89W（Tc）
供应商器件封装
SOT-223SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
228,275
现货
363,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49899
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
403,610
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72353
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
44 毫欧 @ 3.7A，4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
165,545
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
16,423
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
16A（Tc）
5V，10V
125 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1575 pF @ 25 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,992
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
480mW（Ta），1.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223
BSP122,115
MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Nexperia USA Inc.
7,049
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.78415
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
550mA（Ta）
2.4V，10V
2.5 欧姆 @ 750mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。