单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）5A（Ta）14A（Ta），35A（Tc）42A（Ta），433A（Tc）60A（Tc）65A（Tc）150A（Tc）500A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.7V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 25A，10V0.55 毫欧 @ 50A，10V1.7 毫欧 @ 30A，4.5V1.9 毫欧 @ 25A，10V1.95 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 25A，10V6 毫欧 @ 20A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V44 毫欧 @ 4.3A，10V1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA1.2V @ 1mA1.4V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.7 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V122 nC @ 10 V177 nC @ 10 V182 nC @ 5 V267 nC @ 10 V400 nC @ 10 V585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V+20V，-10V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1155 pF @ 15 V1287 pF @ 25 V4234 pF @ 20 V8352 pF @ 10 V8900 pF @ 15 V10900 pF @ 10 V14300 pF @ 10 V20000 pF @ 10 V21162 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.2W（Ta）1.4W2.6W（Ta）3W（Ta），188W（Tc）3.5W（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）78W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）LFPAK88（SOT1235）PG-TDSON-8 FLPowerDI5060-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-252-3TSOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-1235SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
683,678
现货
261,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57384
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
13,025
现货
1 : ¥16.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.40235
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，4.5V
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,913
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18817
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.95 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,652
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27086
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S0R5-40HJ
BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88
Nexperia USA Inc.
4,307
现货
1 : ¥48.85000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.19881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
500A（Tc）
10V
0.55 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
267 nC @ 10 V
+20V，-10V
21162 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
TSOT-26
DMN6040SVT-7
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
5,242
现货
15,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40741
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
DMPH4015SPSQ-13
DMT36M1LPS-13
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,569
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.42520
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
65A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
16.7 nC @ 10 V
±20V
1155 pF @ 15 V
-
2.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
TO-252-2
DMP4015SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252
Diodes Incorporated
6,749
现货
367,500
工厂
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.45929
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMPH4015SPSQ-13
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
12,392
现货
10,000
工厂
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.25328
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150A（Tc）
2.5V，10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
177 nC @ 10 V
±12V
8352 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
5,832
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.30487
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。