单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-CoolMOS™SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
620mA（Ta）2A（Tc）2.5A（Ta）3A（Ta）3.5A（Ta）3.9A（Ta）4.2A（Ta）32A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 20A，10V21 毫欧 @ 10A，10V43 毫欧 @ 3.9A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V49 毫欧 @ 3.5A，10V125 毫欧 @ 3A，4.5V300 毫欧 @ 2.5A，10V800 毫欧 @ 620mA，10V2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 160µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.9V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V10 nC @ 10 V12.4 nC @ 5 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V19.2 nC @ 10 V33.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
176 pF @ 25 V247 pF @ 30 V276 pF @ 15 V290 pF @ 100 V450 pF @ 30 V601 pF @ 30 V793 pF @ 15 V1469 pF @ 25 V1871 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），455mW（Tc）350mW（Ta）500mW（Ta）510mW（Ta），3.9W（Tc）710mW（Ta），8.3W（Tc）2.9W（Ta）3W（Ta）42W（Tc）55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33PG-SC59-3SOT-223-4SOT-23TO-236ABTO-252-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
1,492
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
67,951
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83986
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV37ENER
PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
6,078
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85368
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 3.5A，10V
2.7V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSR315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Infineon Technologies
30,637
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.44197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
620mA（Ta）
4.5V，10V
800 毫欧 @ 620mA，10V
2V @ 160µA
6 nC @ 10 V
±20V
176 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV50EPEAR
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,059
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01139
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
310mW（Ta），455mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M24-60EX
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,707
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.75209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
5V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
12.4 nC @ 5 V
±10V
1469 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
TO-252-2
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Diodes Incorporated
13,490
现货
142,500
工厂
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.44812
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Tc）
6V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
33.3 nC @ 10 V
±20V
1871 pF @ 50 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
PMV50ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,818
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93428
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.9A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 3.9A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
276 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），3.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
4,125
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.98233
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2A（Tc）
10V
2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
3.9V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 100 V
-
42W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。