单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）1.8A（Ta）4.3A（Ta），10A（Tc）25A（Ta）， 230A（Tc）44A（Tc）60A100A（Ta）150A（Ta）200A（Ta）200A（Ta），279A（Tc）201A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.7V4.5V，10V5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V2.24 毫欧 @ 50A， 10V2.3 毫欧 @ 100A，10V2.4 毫欧 @ 100A，10V2.7 毫欧 @ 100A，10V3.2 毫欧 @ 25A，5V3.6 毫欧 @ 100A，10V4.2 毫欧 @ 100A，10V4.9 毫欧 @ 17A，10V5.6 毫欧 @ 90A，10V15.1 毫欧 @ 10A，10V69 毫欧 @ 3A，10V111 毫欧 @ 2.9A，10V1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA2.4V @ 250µA2.5V @ 9mA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 147µA3.4V @ 250µA4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V16 nC @ 10 V18.1 nC @ 10 V22 nC @ 10 V57 nC @ 10 V62 nC @ 10 V81 nC @ 10 V91 nC @ 10 V101 nC @ 10 V153 nC @ 10 V156 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
825 pF @ 30 V942 pF @ 30 V1000 pF @ 50 V1680 pF @ 50 V4810 pF @ 50 V5060 pF @ 50 V6620 pF @ 30 V6880 pF @ 50 V7930 pF @ 50 V11900 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V12200 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）600mW（Ta）2.2W（Ta）3W（Ta）， 254W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）3.2W（Ta），63W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）340W（Tc）375W（Tc）394W
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（5x6）8-WLCSP（3.5x2.13）PG-TSON-8-3SOT-223-3SOT-23-3TO-220-3TO-263（D2PAK）TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-XFBGA，WLCSPSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
683,678
现货
261,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
13,408
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.42950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
6V，10V
15.1 毫欧 @ 10A，10V
3.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-VSON (5x6)
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,695
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
4.9 毫欧 @ 17A，10V
3.2V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220-3
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
1,527
现货
1 : ¥36.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
DDPAK/TO-263-3
CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
1,467
现货
1 : ¥36.45000
剪切带（CT）
500 : ¥22.01000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
5,483
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
SOT-223-3
DMN6069SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Diodes Incorporated
6,548
现货
247,500
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.39442
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Ta），10A（Tc）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
825 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
6-TSOP
NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
87,188
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.86358
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
111 毫欧 @ 2.9A，10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
DDPAK/TO-263-3
CSD19532KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
4,223
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
500 : ¥10.83316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
5.6 毫欧 @ 90A，10V
3.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5060 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TO-220-3
CSD19535KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
458
现货
1 : ¥26.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
3.6 毫欧 @ 100A，10V
3.4V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7930 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
DDPAK/TO-263-3
CSD18535KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Texas Instruments
831
现货
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
50 : ¥26.45040
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200A（Ta），279A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
6620 pF @ 30 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
811
现货
1 : ¥39.82000
剪切带（CT）
1,500 : ¥14.65992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 9mA
12 nC @ 5 V
+6V，-4V
1000 pF @ 50 V
-
394W
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WLCSP（3.5x2.13）
8-XFBGA，WLCSP
TO-263
NTB004N10G
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
onsemi
9,703
现货
1 : ¥54.43000
剪切带（CT）
800 : ¥33.17213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
201A（Ta）
10V
4.2 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 500µA
175 nC @ 10 V
±20V
11900 pF @ 50 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DDPAK/TO-263-3
CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Texas Instruments
519
现货
1 : ¥40.39000
剪切带（CT）
500 : ¥24.38574
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
200A（Ta）
6V，10V
2.3 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
156 nC @ 10 V
±20V
12200 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。