单 FET，MOSFET

结果 : 19
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-aMOS5™EOptiMOS™OptiMOS™ 5SIPMOS®STripFET™ F7TrenchFET®TrenchFET® Gen VTrenchMOS™TrenchP™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V65 V80 V100 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）210mA（Ta）11A（Tc）13A（Tc）19.7A（Tc）33.6A（Ta），137.5A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）45A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）110A（Tc）120A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 150A，10V2.9 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 50A，10V5.6 毫欧 @ 25A，10V6 毫欧 @ 50A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V6.5 毫欧 @ 50A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V8 毫欧 @ 30A，10V8.4 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 15A，10V10 毫欧 @ 500mA，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2V @ 20µA2.1V @ 1mA2.3V @ 20µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA3.3V @ 280µA3.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V35 nC @ 5 V53 nC @ 10 V60 nC @ 10 V69 nC @ 10 V88 nC @ 10 V185 nC @ 10 V230 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±10V±15V±18V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
19.1 pF @ 25 V38 pF @ 25 V955 pF @ 100 V979 pF @ 25 V1093 pF @ 100 V1640 pF @ 50 V1800 pF @ 30 V2410 pF @ 50 V3020 pF @ 40 V5026 pF @ 25 V5810 pF @ 30 V9200 pF @ 25 V9500 pF @ 10 V10850 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）340mW（Ta）960mW（Ta），170W（Tc）1.8W（Ta），200W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）3.75W（Ta），272W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）46W（Tc）60W（Tc）83W（Tc）90W（Tc）125W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOIC8-SOP Advance（5x5）ATPAKD2PAKDPAKLFPAK56，Power-SO8PG-HSOF-8-1PG-SOT323PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8SOT-323TO-263TO-263（D2PAK）TO-263AA
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）ATPAK（2 引线 + 凸片）PowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果
显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,134
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 7.4A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5,131
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.38856
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Ta）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 50A，10V
2.1V @ 1mA
230 nC @ 10 V
+10V，-20V
9500 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,892
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
2,976
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
800 : ¥21.22651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），272W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
45,992
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15521
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
13,454
现货
1 : ¥52.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥25.40343
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300A（Tc）
6V，10V
0.75 毫欧 @ 150A，10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SOT-323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
22,174
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,256
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65942
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
210mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y7R2-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,070
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.44113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V
5.6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±10V
5026 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
3,183
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.71595
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
33.6A（Ta），137.5A（Tc）
7.5V，10V
2.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
9,788
现货
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.23208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
D2PAK
MCB110P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
502
现货
1 : ¥33.58000
剪切带（CT）
800 : ¥20.27266
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
6V，10V
8.4 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±18V
5810 pF @ 30 V
-
125W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,309
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥6.89599
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Vishay Siliconix
246
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
13A（Tc）
10V
350 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1093 pF @ 100 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
800 : ¥25.93610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
300 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
ATPAK
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥41.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥20.20292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 50A，10V
-
250 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 20 V
-
90W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86676
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.7A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263AB
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
65 V
120A（Tc）
10V
10 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
185 nC @ 10 V
±15V
13200 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD47N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.05097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
45A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 22.5A，10V
4.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±10V
1640 pF @ 50 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 19

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。