单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）800mA（Ta）2.5A（Ta）6A（Ta）6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.6 毫欧 @ 6A，8V30 毫欧 @ 5A，4.5V90 毫欧 @ 1.5A，4.5V235 毫欧 @ 800mA，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V55 pF @ 10 V335 pF @ 15 V485 pF @ 10 V1400 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）260mW（Ta），830mW（Tc）500mW（Ta）1W（Ta）2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-323SSM
封装/外壳
SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,628,762
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,077
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
361,635
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-323
DMP2165UW-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R
Diodes Incorporated
18,518
现货
2,010,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68117
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
335 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Vishay Siliconix
17
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
485 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。