单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43.8 毫欧 @ 5A，10V62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
487 pF @ 20 V915 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33SOT-23-3
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
381,860
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54487
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M67-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L
Nexperia USA Inc.
1,458
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.20015
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
43.8 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
19 nC @ 10 V
±10V
915 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。