单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®ThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）200mA（Ta）1A（Tc）11.1A（Tc）19.7A（Tc）23A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 25A，10V6.6 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 15A，10V59 毫欧 @ 5A，10V1.05 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V29.5 nC @ 10 V69 nC @ 10 V80 nC @ 10 V625 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 5 V50 pF @ 10 V250 pF @ 25 V900 pF @ 50 V1050 pF @ 50 V2410 pF @ 50 V2866 pF @ 50 V22000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）2W（Tc）2.5W（Ta），5.7W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）57W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-223-4SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
735,131
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40361
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
58,172
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,732
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04784
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Vishay Siliconix
525
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.71758
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.1A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 15A，10V
2.8V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥16.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.44378
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT223-3L
FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.33711
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tc）
10V
1.05 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK 1212-8S
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62176
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1050 pF @ 50 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86676
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.7A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。