单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS®-P2OptiMOS™SIPMOS®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）330mA（Ta）2.5A（Ta）6.5A（Ta），30A（Tc）10.8A（Ta），46.9A（Tc）14A（Tc）18.6A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 90A，10V4.3 毫欧 @ 90A，10V7.8 毫欧 @ 50A，10V12.2 毫欧 @ 60A，10V15 毫欧 @ 50A，10V17 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 20A，10V50 毫欧 @ 2.5A，4.5V70 毫欧 @ 2.5A，10V110 毫欧 @ 12A，10V130 毫欧 @ 13.2A，10V2 欧姆 @ 330mA，10V2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 11µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.2V @ 35µA2.4V @ 60µA2.5V @ 1mA2.7V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 46µA4V @ 1mA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V3.57 nC @ 10 V4.1 nC @ 5 V17 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V33 nC @ 10 V34 nC @ 10 V64 nC @ 10 V128 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±10V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12 pF @ 10 V78 pF @ 25 V165 pF @ 10 V419 pF @ 10 V860 pF @ 25 V864 pF @ 30 V984.7 pF @ 30 V1900 pF @ 30 V2470 pF @ 25 V4180 pF @ 25 V4780 pF @ 25 V10400 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）360mW（Ta）500mW（Ta）700mW（Ta）1.7W（Ta）2.5W（Ta），52W（Tc）3.2W（Ta）71W（Tc）80W（Tc）94W（Tc）100W（Tc）125W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TA）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-313SSMTO-252（DPAK）TSMT3
封装/外壳
SC-75，SOT-416SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,203
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252, (D-Pak)
AOD4130
MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
95,880
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.5A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
8,922
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.38390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 90A，10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V，-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
157,793
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TA）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT-23-3
BSS205NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Infineon Technologies
31,788
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78962
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.2V @ 11µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
419 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252 D-Pak Top
DMTH6016LK3-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Diodes Incorporated
3,007
现货
35,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.33862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.8A（Ta），46.9A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMP6180SK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
32,346
现货
2,930,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95709
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
SPD18P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Infineon Technologies
7,323
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.40062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.6A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 13.2A，10V
4V @ 1mA
33 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,681
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.31504
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 60µA
64 nC @ 10 V
±20V
4180 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSMT3
RSR025N03HZGTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,535
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.72450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4V，10V
70 毫欧 @ 2.5A，10V
2.5V @ 1mA
4.1 nC @ 5 V
±20V
165 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TO252-3
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
6,828
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.00842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 35µA
64 nC @ 10 V
±16V
4780 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Infineon Technologies
5,772
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.06501
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
10V
12.2 毫欧 @ 60A，10V
3.5V @ 46µA
34 nC @ 10 V
±20V
2470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
8,114
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.22154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 90µA
128 nC @ 10 V
±20V
10400 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。