单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ M2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）4.65A（Ta）10A（Tc）10.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 3A，10V380 毫欧 @ 5A，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V13 nC @ 10 V17 nC @ 10 V33.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V530 pF @ 100 V864 pF @ 30 V1643 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）810mW（Ta）1.23W（Ta）85W（Tc）
供应商器件封装
POWERDI3333-8PowerDI5060-8SOT-323TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
162,076
现货
810,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24483
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
DMPH4015SPSQ-13
DMT6016LPS-13
MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Diodes Incorporated
7,196
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.73352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.6A（Ta）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.23W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMP4025SFG-13
MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
Diodes Incorporated
24,150
现货
516,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.63649
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.65A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
DPAK
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
6,896
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.79230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
10A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
530 pF @ 100 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。