单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ IIStrongIRFET™
包装
散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V60 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A（Tc）48A（Tc）50A（Tc）51A（Tc）60A（Tc）64A（Tc）75A（Tc）79A（Tc）80A（Tc）92A（Tc）104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V6V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 25A，10V8 毫欧 @ 54A，10V8.4 毫欧 @ 47A，10V8.5 毫欧 @ 51A，10V9 毫欧 @ 36A，10V11 毫欧 @ 40A，10V13.9 毫欧 @ 31A，10V14 毫欧 @ 30A，10V14 毫欧 @ 32A，10V15.8 毫欧 @ 25A，10V18 毫欧 @ 27.5A，10V23 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA3.7V @ 50µA4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V38.7 nC @ 10 V43 nC @ 10 V60 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V66 nC @ 10 V69 nC @ 10 V81 nC @ 10 V86 nC @ 10 V130 nC @ 5 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 50 V1300 pF @ 25 V1360 pF @ 25 V1420 pF @ 25 V1970 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V2230 pF @ 25 V2290 pF @ 50 V2651 pF @ 30 V2810 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V5000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
71W（Tc）80W（Tc）83W（Tc）110W（Tc）130W（Tc）140W（Tc）149W（Tc）200W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Infineon Technologies
3,243
现货
1 : ¥7.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
43A（Tc）
10V
15.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Infineon Technologies
3,761
现货
1 : ¥10.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
79A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 47A，10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Infineon Technologies
3,389
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
64A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP55NF06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
STMicroelectronics
37,674
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
9,545
现货
1 : ¥13.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
75A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 51A，10V
4V @ 100µA
86 nC @ 10 V
±20V
2810 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STMicroelectronics
1,309
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V，5V
14 毫欧 @ 30A，10V
1V @ 250µA
66 nC @ 4.5 V
±15V
2000 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥20.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44ZPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Infineon Technologies
519
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
51A（Tc）
10V
13.9 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1420 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44EPBF
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Infineon Technologies
12,664
现货
1 : ¥17.32000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
48A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 29A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Infineon Technologies
9,165
现货
1 : ¥21.26000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
104A（Tc）
4V，10V
8 毫欧 @ 54A，10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF60B217
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
645
市场
查看交期
388 : ¥5.60799
散装
50 : ¥10.54100
管件
散装
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
6V，10V
9 毫欧 @ 36A，10V
3.7V @ 50µA
66 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PSMN7R6-60PS,127
MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
92A（Tc）
10V
7.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
38.7 nC @ 10 V
±20V
2651 pF @ 30 V
-
149W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。