单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V700 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Ta)3.6A(Tc)4A(Tc)4.5A(Tc)5A(Tc)6A(Tc)8A(Tc)8.5A(Tc)9A(Tc)11A(Tc)12.5A(Tc)39A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 11.8A,10V360 毫欧 @ 2.7A,10V360 毫欧 @ 3A,10V380 毫欧 @ 7A,10V600 毫欧 @ 1.7A,10V600 毫欧 @ 1.8A,10V600 毫欧 @ 3.4A,10V900 毫欧 @ 1.1A,10V1.2 欧姆 @ 1.7A,10V1.4 欧姆@ 700mA,10V1.5 欧姆 @ 1.1A,10V1.5 欧姆 @ 700mA,10V3.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 150µA3.5V @ 170µA3.5V @ 40µA3.5V @ 60µA3.5V @ 80µA3.5V @ 90µA3.9V @ 500µA4V @ 140µA4V @ 1mA4V @ 590µA4.5V @ 40µA4.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V6.5 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V13 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V20 nC @ 10 V51 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
65 pF @ 25 V158 pF @ 400 V169 pF @ 400 V200 pF @ 100 V211 pF @ 400 V300 pF @ 500 V344 pF @ 400 V364 pF @ 400 V517 pF @ 400 V555 pF @ 400 V570 pF @ 500 V1200 pF @ 25 V2180 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta)5W(Tc)6.2W(Tc)6.9W(Tc)22W(Tc)30.5W(Tc)31W(Tc)33W(Tc)37W(Tc)41W(Tc)59.4W(Tc)60W(Tc)125W(Tc)154W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPPG-SOT223PG-SOT223-3PG-TO220-3-31PG-TO252-3PG-TO252-3-344PG-TO263-3-2PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

显示
/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
104,793
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.94104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB11N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Infineon Technologies
3,547
现货
1 : ¥28.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.75487
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 7A,10V
3.9V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
12,713
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.73251
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Infineon Technologies
7,274
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13743
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
6A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 1.1A,10V
3.5V @ 60µA
6.8 nC @ 10 V
±16V
211 pF @ 400 V
-
30.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN70R600P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Infineon Technologies
2,265
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.50962
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
6.9W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD60R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
1,754
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.17810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Infineon Technologies
4,726
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.27668
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.4A,10V
3.5V @ 170µA
20 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 500 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
SPA11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Infineon Technologies
125
现货
1 : ¥26.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 7A,10V
3.9V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-31
TO-220-3 整包
4,709
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.7A,10V
4.5V @ 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
-
31W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223-3
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Infineon Technologies
5,839
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Infineon Technologies
14,924
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.48287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.5A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
3.5V @ 80µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 500 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
R6002ENHTB1
600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Rohm Semiconductor
2,030
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.53009
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.7A(Ta)
10V
3.4 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
6.5 nC @ 10 V
±20V
65 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Infineon Technologies
2,477
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.30756
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.6A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 700mA,10V
4.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
22W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-VSON-4
IPL60R085P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON
Infineon Technologies
353
现货
1 : ¥40.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.07584
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
39A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
154W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。