单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）350mA（Ta）3.1A（Tc）3.8A（Ta）6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 6.5A，4.5V65 毫欧 @ 3.8A，10V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V2.8 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.25V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.2 pF @ 30 V50 pF @ 25 V405 pF @ 10 V563 pF @ 25 V660 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）380mW（Ta），2.8W（Tc）860mW（Ta），1.6W（Tc）1.08W（Ta）1.3W（Ta）
供应商器件封装
DFN0606-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式3-XFDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,158
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,890
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
270,986
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52275
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
206,999
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.5A（Ta）
2.5V，4.5V
20 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
660 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
DFN0606-3
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
29,561
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.27355
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
4.5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。