单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.1A（Ta）2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 1.5A，10V130 毫欧 @ 2.5A，4.5V180 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 20 V200 pF @ 10 V250 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
460mW（Ta），5W（Tc）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV130ENEAR
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
22,720
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76184
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 20 V
-
460mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RTR025N05TL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.63890
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TSMT3
RTR020N05TL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,998
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.74131
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
180 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 1mA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。