单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-*HEXFET®OptiMOS™SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V50 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA(Ta)190mA(Ta)220mA(Ta)230mA(Ta)300mA(Tc)330mA(Ta)800mA(Ta)1.4A(Ta)1.5A(Ta)1.9A(Ta)2A(Ta)2.1A(Ta)3.3A(Ta)4.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 25A,10V42 毫欧 @ 3.8A,10V50 毫欧 @ 4.3A,4.5V80 毫欧 @ 2A,10V85 毫欧 @ 3.2A,10V90 毫欧 @ 2.7A,10V140 毫欧 @ 1.5A,10V140 毫欧 @ 1.5A,4.5V160 毫欧 @ 1.4A,10V160 毫欧 @ 2.1A,4.5V300 毫欧 @ 1.9A,10V380 毫欧 @ 900mA,10V2 欧姆 @ 330mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1.2V @ 3.7µA1.4V @ 26µA1.6V @ 250µA1.8V @ 13µA2V @ 11µA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 3.7µA2V @ 460µA2V @ 6.3µA2V @ 80µA2.1V @ 250µA2.2V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 5 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V2.9 nC @ 10 V3.3 nC @ 4.5 V3.57 nC @ 10 V3.6 nC @ 10 V5 nC @ 10 V12.3 nC @ 10 V15 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19.1 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V27 pF @ 25 V41 pF @ 25 V50 pF @ 10 V78 pF @ 25 V94 pF @ 15 V101 pF @ 30 V143 pF @ 10 V294 pF @ 15 V300 pF @ 10 V300 pF @ 25 V460 pF @ 25 V500 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)323mW(Ta),554mW(Tc)350mW(Ta)360mW(Ta)500mW(Ta)800mW(Ta)830mW(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.7W(Tc)1.8W(Ta)29W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-SOT223-4PG-SOT23PG-SOT323PG-TO252-3-11SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,746
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
136,067
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48928
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
112,477
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
172,487
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
62,251
现货
312,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 3.2A,10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,974
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86945
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
160 毫欧 @ 2.1A,4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
120,817
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
111,167
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
45,570
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 1.5A,10V
2V @ 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
308,023
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91747
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
185,800
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
598,961
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
43,780
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46052
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
800mA(Ta)
4.5V,10V
380 毫欧 @ 900mA,10V
2.7V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW(Ta),554mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
22,284
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
150mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
196,592
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74211
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Infineon Technologies
2,733
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.08196
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.9A(Ta)
4.5V,10V
300 毫欧 @ 1.9A,10V
2V @ 460µA
20 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Infineon Technologies
14,454
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.53813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 8µA
16.3 nC @ 10 V
±16V
1220 pF @ 25 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
DMP3165L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,023
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.3A(Ta)
4.5V,10V
90 毫欧 @ 2.7A,10V
2.1V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSXXXXXXXXXXXXXA1
BSS670S2LH6433XTMA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Infineon Technologies
37,686
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.50680
卷带(TR)
*
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
-
4.5V,10V
-
-
-
±20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。