单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V50 V55 V60 V80 V100 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110mA(Ta)115mA(Ta)130mA(Ta)150mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)540mA(Ta)1A(Ta)1.4A(Ta)2A(Ta)2.6A(Ta)3A(Ta)3.8A(Ta)4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V3V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 165A,10V7 毫欧 @ 40A,10V28 毫欧 @ 5.8A,10V31 毫欧 @ 4A,4.5V34 毫欧 @ 12A,10V65 毫欧 @ 3.8A,10V80 毫欧 @ 2A,10V120 毫欧 @ 2.8A,4.5V130 毫欧 @ 2.6A,10V160 毫欧 @ 1.4A,10V210 毫欧 @ 1.4A,10V450 毫欧 @ 600mA,4.5V650 毫欧 @ 270mA,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 13µA1.8V @ 56µA2V @ 11µA2V @ 1mA2V @ 2.7µA2V @ 250µA2V @ 3.7µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 12µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 5 V0.6 nC @ 5 V0.74 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V2.26 nC @ 10 V3.1 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.1 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V15.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20.9 pF @ 25 V36 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V60.67 pF @ 16 V75 pF @ 25 V77 pF @ 25 V94 pF @ 15 V206 pF @ 15 V370 pF @ 15 V386 pF @ 15 V476 pF @ 10 V500 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)290mW(Ta)300mW(Ta)360mW(Ta)370mW(Ta)500mW(Ta)625mW(Ta)720mW(Ta)800mW(Ta)1.08W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)2.5W(Ta),32W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
D2PAKPG-SOT23PG-TDSON-8-5PG-WSON-8-2SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式8-PowerTDFN8-PowerWDFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
371,928
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
446,470
现货
11,088,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,712
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,113
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
522,063
现货
8,922,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1A(Ta)
1.8V,4.5V
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
31,040
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58243
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
307,827
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
90,745
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.62614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7A(Ta),23A(Tc)
6V,10V
34 毫欧 @ 12A,10V
3.5V @ 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
16,120
现货
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
4,000 : ¥9.86806
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Ta),82A(Tc)
6V,10V
7 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS3036TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,992
现货
1 : ¥30.05000
剪切带(CT)
800 : ¥18.12540
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
195A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 165A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11210 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
598,281
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
54,899
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35384
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
150mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
225,911
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.45904
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
27,824
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3409
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
16,163
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68275
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 2.6A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
9,594
现货
1,728,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP3A13FTA
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
29,689
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24606
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
210 毫欧 @ 1.4A,10V
1V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 15 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,308,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60066
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
3V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。