单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7HiPerFET™, Polar3™MDmesh™ DM2MDmesh™ K5PowerMESH™SuperFET® IISuperMESH5™SuperMESH™ThunderFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
150 V200 V600 V800 V900 V1000 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A（Tc）4.5A（Tc）5.8A（Tc）8.3A（Tc）10.5A（Tc）15A（Tc）16A（Tc）17A（Tc）22A（Tc）35.4A（Tc）37A（Tc）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31.9 毫欧 @ 10A，10V47.5 毫欧 @ 10A，10V55 毫欧 @ 15.1A，10V220 毫欧 @ 9A，10V280 毫欧 @ 8A，10V290 毫欧 @ 11A，10V290 毫欧 @ 8.5A，10V390 毫欧 @ 11A，10V750 毫欧 @ 5.25A，10V950 毫欧 @ 3A，10V1.38 欧姆 @ 4.15A，10V2 欧姆 @ 2.9A，10V13 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 1.7mA4.5V @ 100µA4.5V @ 760µA5V @ 1.5mA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V29 nC @ 10 V33 nC @ 10 V38 nC @ 10 V44 nC @ 10 V48 nC @ 10 V60.5 nC @ 10 V67 nC @ 10 V75 nC @ 10 V87 nC @ 10 V162 nC @ 10 V177 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 100 V1000 pF @ 100 V1055 pF @ 100 V1100 pF @ 100 V1350 pF @ 25 V1380 pF @ 100 V1805 pF @ 75 V2300 pF @ 100 V2600 pF @ 25 V2620 pF @ 25 V2721 pF @ 400 V3205 pF @ 100 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
42W（Tc）104W（Tc）125W（Tc）140W（Tc）160W（Tc）190W（Tc）212W（Tc）227W（Tc）230W（Tc）236W（Tc）500W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-HSOF-8-2PG-TO263-3-2PowerFlat™（5x6）PowerFlat™（8x8）HVPowerPAK® SO-8TO-247-3TO-263（D2PAK）TO-263AA（IXFA）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,184
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.69940
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35.4A（Tc）
7.5V，10V
31.9 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB17N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Infineon Technologies
1,538
现货
1 : ¥36.94000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.10895
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Tc）
10V
290 毫欧 @ 11A，10V
3.9V @ 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 100 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB23N80K5
MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
STMicroelectronics
983
现货
1 : ¥40.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.84017
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
16A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 8A，10V
5V @ 100µA
33 nC @ 10 V
±30V
1000 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB12NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
STMicroelectronics
3,247
现货
1 : ¥40.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.93442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
10.5A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 5.25A，10V
4.5V @ 100µA
87 nC @ 10 V
±30V
2620 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8PowerVDFN
STL8N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,485
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.95822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
4.5A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 3A，10V
5V @ 100µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 100 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
8 Power VDFN
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
STMicroelectronics
2,889
现货
1 : ¥24.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.10377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
15A（Tc）
10V
220 毫欧 @ 9A，10V
5V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1055 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（8x8）HV
8-PowerVDFN
D²PAK
STB6NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STMicroelectronics
1,528
现货
1 : ¥25.20000
剪切带（CT）
1,000 : ¥13.04409
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.8A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 2.9A，10V
4.5V @ 100µA
60.5 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW3N170
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
STMicroelectronics
685
现货
1 : ¥46.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1700 V
2.6A（Tc）
10V
13 欧姆 @ 1.3A，10V
5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±30V
1100 pF @ 100 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
STMicroelectronics
523
现货
1 : ¥52.79000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
8.3A（Tc）
10V
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
4.5V @ 100µA
162 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-263
FCB290N80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
onsemi
1,484
现货
1 : ¥53.03000
剪切带（CT）
800 : ¥32.03874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Tc）
10V
290 毫欧 @ 8.5A，10V
4.5V @ 1.7mA
75 nC @ 10 V
±20V
3205 pF @ 100 V
-
212W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TOLLLEADLESS
IPT60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Infineon Technologies
1,990
现货
1 : ¥51.06000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53314
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
44A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 15.1A，10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
236W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PowerPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.57065
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
37A（Tc）
10V
47.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263AB
IXFA22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Littelfuse Inc.
0
现货
1,000
工厂
查看交期
300 : ¥31.90133
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
22A（Tc）
10V
390 毫欧 @ 11A，10V
5V @ 1.5mA
38 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA（IXFA）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。