单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA（Ta）26A（Ta），60A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 30A，10V4.9 毫欧 @ 15A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82 nC @ 10 V112 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-20V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V3490 pF @ 15 V13980 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）5W（Ta），62.5W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-323TO-263（D2PAK）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
323,137
现货
200,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18668
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK SO-8
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
7,421
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
112 nC @ 10 V
+16V，-20V
3490 pF @ 15 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
915
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33736
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
13980 pF @ 20 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。