单 FET,MOSFET
结果 : 5
制造商
系列
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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708 现货 | 1 : ¥62.64000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 650 V | 35A(Tc) | 10V | 78 毫欧 @ 19.5A,10V | 5V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±25V | 3375 pF @ 100 V | - | 210W(Tc) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220 | TO-220-3 | |||
16,938 现货 | 1 : ¥10.67000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 18A(Tc) | 10V | 100 毫欧 @ 11A,10V | 4.9V @ 100µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 50 V | - | 100W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
1,137 现货 | 1 : ¥23.56000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 11A(Tc) | 10V | 360 毫欧 @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 790 pF @ 50 V | - | 25W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220FP | TO-220-3 整包 | |||
967 现货 | 1 : ¥41.87000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 11A(Tc) | 10V | 450 毫欧 @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 900 pF @ 25 V | - | 160W(Tc) | - | 通孔 | TO-220 | TO-220-3 | |||
279 现货 | 1 : ¥79.22000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 29A(Tc) | 10V | 105 毫欧 @ 14.5A,10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±25V | 2722 pF @ 100 V | - | 250W(Tc) | 150°C(TJ) | 通孔 | TO-220 | TO-220-3 |
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