单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedGoford Semiconductor
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）2.3A（Ta）7.2A（Ta）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V51 毫欧 @ 12A，10V125 毫欧 @ 2.3A，10V220 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17.7 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 25 V637 pF @ 30 V674 pF @ 20 V15870 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）1.1W（Ta）2.14W（Ta）294W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-26TO-252-3TO-263
封装/外壳
SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXM61N03FTA
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
134,195
现货
792,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
29,968
现货
1,782,500
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.55579
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
51 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 26
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
24,345
现货
483,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61750
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 2.3A，10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
GC11N65M
G080P06M
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Goford Semiconductor
770
现货
1 : ¥15.52000
剪切带（CT）
800 : ¥8.68783
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
186 nC @ 10 V
±20V
15870 pF @ 30 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。