单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 25A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V137 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V9997 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），43W（Tc）306W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKTO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IRF510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Vishay Siliconix
23,053
现货
1 : ¥8.29000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN1R7-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4,935
现货
1 : ¥27.42000
剪切带（CT）
800 : ¥16.55743
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
137 nC @ 10 V
±20V
9997 pF @ 30 V
-
306W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。