单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V30 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）250mA（Ta）540mA（Ta）4A（Ta）5A（Tc）6A（Ta）12A（Tc）22A（Ta），76A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 24A，8V4.1mOhm @ 22A，10V28 毫欧 @ 5A，10V47 毫欧 @ 4.4A，10V50 毫欧 @ 3.5A，10V52 毫欧 @ 4A，10V550 毫欧 @ 540mA，4.5V2.4 欧姆 @ 250mA，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.4 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V30 pF @ 30 V150 pF @ 16 V436 pF @ 15 V464 pF @ 15 V870 pF @ 4 V890 pF @ 20 V1300 pF @ 12.5 V5850 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）1W（Ta）1.4W（Ta）2W（Tc）3W（Ta）19W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOP8-VSON-CLIP（3.3x3.3）PowerPAK® SC-70-6SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-323SST3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
292,169
现货
5,871,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54777
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
255,347
现货
5,967,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64176
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
44,054
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,161
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.77066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），76A（Tc）
4.5V，10V
4.1mOhm @ 22A，10V
2.5V @ 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
266,582
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
54,707
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79512
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
20,319
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5A（Tc）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 3.5A，10V
1V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±8V
870 pF @ 4 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Texas Instruments
13,450
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.33582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
3V，8V
4 毫欧 @ 24A，8V
1.4V @ 250µA
8.4 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1300 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
113,338
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26580
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。