单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Transphorm
系列
-CoolMOS™ CFD7SuperGaN®SuperGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A(Tc)13A(Tc)16A(Tc)18.9A(Tc)25A(Tc)29A(Tc)34A(Tc)35A(Tc)36A(Tc)46.5A(Tc)47.2A(Tc)93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V8V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 60A,10V41 毫欧 @ 30A,10V41 毫欧 @ 32A,10V60 毫欧 @ 22A,10V60 毫欧 @ 25A,10V63 毫欧 @ 22A,10V85 毫欧 @ 16A,10V85 毫欧 @ 18A,10V90 毫欧 @ 12.5A,10V110 毫欧 @ 12A,10V180 毫欧 @ 10A,6V180 毫欧 @ 8.5A,10V312毫欧 @ 5A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 500µA2.8V @ 500µA4.1V @ 1.8mA4.4V @ 700µA4.5V @ 1mA4.5V @ 630µA4.8V @ 1mA4.8V @ 2mA4.8V @ 500µA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.9 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.4 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.6 nC @ 8 V14.4 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V22 nC @ 0 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V36 nC @ 10 V53 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 400 V598 pF @ 400 V600 pF @ 400 V638 pF @ 400 V760 pF @ 400 V818 pF @ 400 V980 pF @ 600 V1000 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V2513 pF @ 400 V5218 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
21W(Tc)52W(Tc)65.8W(Tc)83W(Tc)96W(Tc)119W(Tc)127W(Tc)132W(Tc)150W(Tc)156W(Tc)187W(Tc)266W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)8-PQFN(5x6)PG-TO220-3TO-220ABTO-247-3TO-247-4LTO-263TOLT
封装/外壳
3-PowerDFN3-PowerTDFN8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
803
现货
1 : ¥147.28000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
46.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
189
现货
1 : ¥264.85000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
93A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 60A,10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,436
现货
1 : ¥29.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥13.58548
管件
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
8V
312毫欧 @ 5A,8V
2.6V @ 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
TP65H150BG4JSG-TR
TP65H150BG4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Transphorm
2,963
现货
1 : ¥32.51000
剪切带(CT)
4,000 : ¥15.83091
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
16A(Tc)
6V
180 毫欧 @ 10A,6V
2.8V @ 500µA
4.9 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TP65H150G4PS
TP65H150G4PS
GAN FET N-CH 650V TO-220
Transphorm
2,993
现货
1 : ¥54.27000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
16A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TP65H070G4LSG-TR
TP65H070G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,639
现货
1 : ¥78.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥41.95703
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
154
现货
1 : ¥102.95000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
302
现货
1 : ¥115.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
46.5A(Tc)
12V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
115
现货
1 : ¥117.89000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Nexperia USA Inc.
208
现货
1 : ¥143.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
Transphorm
5,887
现货
1 : ¥39.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.25380
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
196
现货
1 : ¥40.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
25A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Transphorm
311
现货
1 : ¥145.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
34A(Tc)
12V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Transphorm
540
现货
1 : ¥174.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
256
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
18.9A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 12A,10V
4.1V @ 1.8mA
14.4 nC @ 10 V
±20V
818 pF @ 400 V
-
65.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
1,925
现货
1 : ¥72.66000
剪切带(CT)
2,000 : ¥38.60045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 18A,10V
4.8V @ 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLT
16-PowerSOP 模块
TP65H050G4YS
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Transphorm
390
现货
1 : ¥117.89000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
35A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
132W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TP65H050G4WS
TP65H050WSQA
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Transphorm
41
现货
1 : ¥155.82000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
36A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP90H050WS
TP90H050WS
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Transphorm
0
现货
450 : ¥97.98949
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
900 V
34A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 22A,10V
4.4V @ 700µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 600 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。