单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
850mA（Ta）1.05A（Ta）6.5A（Ta）7.3A（Ta）11A（Ta）20A（Tc）119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 17A，4.5V6 毫欧 @ 10A，10V18.5 毫欧 @ 9A，10V20 毫欧 @ 9.4A，4.5V24 毫欧 @ 50A，18V200 毫欧 @ 600mA，4.5V400 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）570mV @ 1mA（典型值）600mV @ 250µA（最小）1.3V @ 250µA1.8V @ 250µA2.1V @ 250µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V11.6 nC @ 4.5 V13 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V95 nC @ 10 V157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±8V±16V+22V，-10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
83 pF @ 24 V152 pF @ 16 V1000 pF @ 10 V3380 pF @ 400 V3700 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
417mW（Ta）540mW（Ta）1.3W（Ta）1.56W（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta），5.7W（Tc）565W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOICHiP247™ 长引线TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424,607
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.05A（Ta）
1.8V，4.5V
200 毫欧 @ 600mA，4.5V
570mV @ 1mA（典型值）
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,712
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH103,235
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
43,503
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.72577
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Vishay Siliconix
6,948
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.75429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.5A（Ta）
4.5V，10V
18.5 毫欧 @ 9A，10V
1.8V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±25V
-
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Vishay Siliconix
3,960
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.83005
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
11A（Ta）
2.5V，4.5V
5.5 毫欧 @ 17A，4.5V
600mV @ 250µA（最小）
30 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMN2028USS-13
MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Diodes Incorporated
4,665
现货
22,500
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.61989
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.3A（Ta）
1.5V，4.5V
20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1.3V @ 250µA
11.6 nC @ 4.5 V
±8V
1000 pF @ 10 V
-
1.56W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Vishay Siliconix
11,030
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.06554
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±16V
3700 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-4
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
30 : ¥246.76767
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
119A（Tc）
-
24 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 1mA
157 nC @ 18 V
+22V，-10V
3380 pF @ 400 V
-
565W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。