单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-CoolSiC™HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta），300mA（Tc）37.1A（Tc）44A（Tc）59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 38.3A，18V43 毫欧 @ 9.2A，10V46 毫欧 @ 26A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 250µA5.7V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V63 nC @ 18 V110 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+23V，-5V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V2131 pF @ 400 V4560 pF @ 25 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）189W（Tc）310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-3TO-236ABTO-247ACTO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-247-4TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
74,420
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
7,007
现货
1 : ¥20.93000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45194
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP4229PBF
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Infineon Technologies
1,200
现货
1 : ¥25.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
44A（Tc）
10V
46 毫欧 @ 26A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4560 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
316
现货
1 : ¥119.12000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
59A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 38.3A，18V
5.7V @ 11mA
63 nC @ 18 V
+23V，-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。