单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V75 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 195A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 140A,10V196 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.9V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 10 V162 nC @ 4.5 V225 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V7330 pF @ 25 V9370 pF @ 50 V10315 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
40W(Tc)230W(Tc)370W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
D2PAKLPTSTO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
7,893
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
800 : ¥9.34594
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
195A(Tc)
6V,10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AB
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3107TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Infineon Technologies
4,598
现货
1 : ¥39.24000
剪切带(CT)
800 : ¥23.68303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
195A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 140A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9370 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
5,841
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.38265
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
196 毫欧 @ 9.5A,10V
4V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS3034TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
3,182
现货
1 : ¥25.78000
剪切带(CT)
800 : ¥15.58744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
195A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 195A,10V
2.5V @ 250µA
162 nC @ 4.5 V
±20V
10315 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。