单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）6A（Ta）8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V1.8V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 8A，10V35 毫欧 @ 4A，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V23.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
39 pF @ 3 V582 pF @ 20 V2400 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.2W（Ta）2.3W（Ta），15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6TSOT-26X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN6-UDFN 裸露焊盘SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Diodes Incorporated
157,766
现货
1,488,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96980
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300mA（Ta）
1.8V，4V
1.2 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
-
±10V
39 pF @ 3 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,496
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
582 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TSOT-26
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
72,624
现货
1,326,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。