单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V75 V80 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）6.2A（Ta）11.5A（Ta），29.5A（Tc）20.73A（Tc）49A（Tc）64A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.4 毫欧 @ 80A，10V9.5 毫欧 @ 13A，10V11.7 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 64A，10V40 毫欧 @ 6.2A，10V53 毫欧 @ 10A，10V400 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 90µA3.8V @ 22µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V10.7 nC @ 5 V18 nC @ 10 V55 nC @ 10 V69 nC @ 10 V71 nC @ 10 V89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
219 pF @ 30 V1137 pF @ 25 V1300 pF @ 40 V2900 pF @ 30 V3000 pF @ 50 V4750 pF @ 40 V7000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3.1W（Ta）60.4W（Tc）150W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICLFPAK56，Power-SO8PG-TDSON-8-7PG-TO263-3PG-TO263-3-2SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,026
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
900mA（Ta）
4.5V，10V
400 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
322,813
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.19604
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 6.2A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
5,226
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.64471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
49A（Tc）
6V，10V
11.7 毫欧 @ 25A，10V
3.8V @ 22µA
18 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Infineon Technologies
4,985
现货
1 : ¥52.95000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.39226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
64A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 270µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y58-75B,115
MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
13,303
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.71226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
20.73A（Tc）
5V，10V
53 毫欧 @ 10A，10V
2.15V @ 1mA
10.7 nC @ 5 V
±15V
1137 pF @ 25 V
-
60.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8 SO
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Diodes Incorporated
1,130
现货
182,500
工厂
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.67059
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.5A（Ta），29.5A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 13A，10V
2.8V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
3,638
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.42460
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
80A（Tc）
6V，10V
5.4 毫欧 @ 80A，10V
3.5V @ 90µA
69 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 40 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。