单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.4A（Ta）1.4A（Tc）5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，4.5V2.5V，10V3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 4A，8V132 毫欧 @ 1.4A，10V160 毫欧 @ 1A，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1.5V @ 250µA1.55V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V105 pF @ 15 V123 pF @ 10 V340 pF @ 12.5 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）300mW（Ta），4.7W（Tc）400mW（Ta），500mW（Tc）2.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SONDFN0603-3（SOT8013）EMT3F（SOT-416FL）SC-70-3
封装/外壳
6-SMD，扁平引线0201（0603 公制）SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,236,178
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,070
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97324
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,216
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX100UNEZ
PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
27,820
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
15,000 : ¥0.27354
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.8V，4.5V
160 毫欧 @ 1A，4.5V
900mV @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
123 pF @ 10 V
-
300mW（Ta），4.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN0603-3（SOT8013）
0201（0603 公制）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。