单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Goford SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)17A(Ta),71A(Tc)103A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 35A,10V7 毫欧 @ 20A,10V39.5 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V34 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V5326 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),61W(Tc)13.6W(Tc)178W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN(4.9x5.75)PowerPAK®SC-70W-6
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
onsemi
23,084
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.25108
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),71A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),61W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK SC-701W-6L Single
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,528
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26831
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
9A(Tc)
4.5V,10V
39.5 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerPAK®SC-70W-6
6-PowerVDFN
GT095N04D3
GT065P06D5
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Goford Semiconductor
3,146
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.30682
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
103A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
5326 pF @ 30 V
-
178W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。