单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）4A（Ta）4.5A（Ta）5A（Ta）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 30A，10V44 毫欧 @ 4.3A，10V52 毫欧 @ 4A，10V60 毫欧 @ 4.5A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2.3V @ 15µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 5 V11.7 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V464 pF @ 15 V657 pF @ 25 V1287 pF @ 25 V11400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.2W（Ta）1.4W（Ta）2W（Ta）3.75W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSOP6-6SOT-23SOT-23-3TO-263（D2PAK）TSOT-26
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
257,182
现货
5,154,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
60,259
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TSOT-26
DMN6040SVT-7
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
6,242
现货
24,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40746
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
790
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82723
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 4.5A，10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。