单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
OptiMOS™ 5OptiMOS™5StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta）， 290A（Tc）39A（Ta），351A（Tc）42A（Ta），408A（Tc）170A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 150A，10V1.23 毫欧 @ 150A，10V1.65 毫欧 @ 100A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 148µA3.8V @ 267µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
132 nC @ 10 V223 nC @ 10 V255 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6600 pF @ 40 V12000 pF @ 40 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta）， 313W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）3.8W（Ta），375W（Tc）300W（Tc）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-HSOF-5-4PG-HSOF-8-10PG-HSOG-8-1PG-TO263-3
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFN8-PowerSMD，鸥翼16-PowerSOP 模块TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,346
现货
1 : ¥63.46000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.01692
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
42A（Ta），408A（Tc）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
3,778
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,800 : ¥23.20602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
39A（Ta），351A（Tc）
6V，10V
1.23 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-10
8-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST019N08NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
977
现货
1 : ¥35.30000
剪切带（CT）
2,000 : ¥17.19043
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Ta）， 290A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 148µA
132 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta）， 313W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
PG-HSOG-8-1 Bottom View
IPTG011N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Infineon Technologies
3,433
现货
1 : ¥64.04000
剪切带（CT）
1,800 : ¥36.32474
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
42A（Ta），408A（Tc）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
IPB019N08NF2SATMA1
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
920
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
800 : ¥20.77614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
170A（Tc）
6V，10V
1.65 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。