单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V620 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V47 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.3 pF @ 10 V2475 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta），2.7W（Tc）2.1W（Ta）
供应商器件封装
SOT-883U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
3,281
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30541
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
26A（Tc）
1.8V，4.5V
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
SC-101 SOT-883
PMZ600UNEZ
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
9,115
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20935
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.2V，4.5V
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。