单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）33A（Tc）41A（Ta），235A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V25 毫欧 @ 10A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V16.7 nC @ 5 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V2275 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）3.8W（Ta），128W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）LFPAK33SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
463,083
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M28-80EX
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,442
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.10549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
33A（Tc）
5V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
16.7 nC @ 5 V
±10V
2275 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C426NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
2,323
现货
1 : ¥26.93000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.93177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。