单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®MDmesh™ VPowerTrench®SIPMOS®SuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）3.3A（Ta），7.5A（Tc）18A（Ta）35A（Tc）44A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 18A，10V23 毫欧 @ 64A，10V70 毫欧 @ 22A，10V78 毫欧 @ 19.5A，10V103 毫欧 @ 3.3A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.35V @ 50µA4V @ 5.5mA4.5V @ 4.4mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V78 nC @ 10 V91 nC @ 10 V173 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V310 pF @ 50 V2315 pF @ 15 V3090 pF @ 400 V3375 pF @ 100 V5033 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）2.3W（Ta），19W（Tc）2.5W（Ta）210W（Tc）312W（Tc）340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-SOPG-TO263-3-2TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
503,924
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
35,068
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.22730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 18A，10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 POWER WDFN
FDMC86116LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
onsemi
5,600
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.42948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.3A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
103 毫欧 @ 3.3A，10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
310 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB80P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Infineon Technologies
5,664
现货
1 : ¥31.77000
剪切带（CT）
1,000 : ¥16.44005
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
1,271
现货
1 : ¥61.00000
剪切带（CT）
1,000 : ¥34.58068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FCB070N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
onsemi
1,610
现货
1 : ¥50.00000
剪切带（CT）
800 : ¥31.51251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
44A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 22A，10V
4.5V @ 4.4mA
78 nC @ 10 V
±30V
3090 pF @ 400 V
-
312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。