单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCNexperia USA Inc.
系列
-eGaN®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta）60A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V3.3 毫欧 @ 16A，5V4.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 5.5mA2.5V @ 7mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V17.8 nC @ 5 V82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1180 pF @ 50 V2703 pF @ 50 V6230 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
234W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK模具
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2619
EPC2619
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
EPC
6,108
现货
1 : ¥28.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.90500
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
3.3 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5.5mA
8.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
1180 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2065
EPC2088
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
EPC
2,574
现货
1 : ¥34.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.60727
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
17.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
14,478
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98417
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
D2PAK SOT404
BUK764R4-60E,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
1,192
现货
1 : ¥21.43000
剪切带（CT）
800 : ¥9.27880
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
82 nC @ 10 V
±20V
6230 pF @ 25 V
-
234W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。