单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）40A（Tc）90A（Tc）110A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 25A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V20.6 毫欧 @ 10A，10V21 毫欧 @ 15A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V56 nC @ 10 V81 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1867 pF @ 25 V2941 pF @ 25 V4520 pF @ 25 V6695 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
62W（Tc）79.4W（Tc）147W（Tc）194W（Tc）
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
BUK9M31-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Nexperia USA Inc.
2,514
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.08297
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
4.5V，10V
20.6 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
37 nC @ 10 V
±10V
1867 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK33
BUK9M20-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Nexperia USA Inc.
1,500
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.66629
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 15A，10V
2.1V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±10V
2941 pF @ 25 V
-
79.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y13-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Nexperia USA Inc.
2,970
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.08226
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 1mA
81 nC @ 10 V
±10V
4520 pF @ 25 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y8R8-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Nexperia USA Inc.
2,838
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.18332
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
123 nC @ 10 V
±10V
6695 pF @ 25 V
-
194W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。